蔡司Sigma系列產品集場發射掃描電子顯微鏡（FE-SEM）技術與良好的用戶體驗于一體，助您輕松實現構建成像和分析程序，同時提高工作效率。您可以將其用于新材料和顆粒的質量監測，或研究生物和地質樣本。Sigma可實現高分辨率成像，它采用低電壓，能在1 kV或更低電壓下實現更高的分辨率和對比度。它出色的EDS幾何學設計可執行高級顯微分析，以兩倍的速度和更高的精度獲取分析數據。

使用Sigma系列，暢游高端納米分析世界。

• Sigma 360是一款直觀的成像和分析FE-SEM，是分析測試平臺的理想之選。
  

• Sigma 560采用先進的EDS幾何學設計，可提供高通量分析，實現自動原位實驗。

• 從設置到獲取基于人工智能的結果，均提供專業向導，為您保駕護航，助您探索直觀成像工作流。

• 可在1 kV和更低電壓下分辨差異，實現更高的分辨率和對比度。

• 可在極端條件下執行可變壓力成像，獲得出色的非導體成像結果。

• 新NanoVP lite模式和新探測器很容易在電壓低于5 kV時，從非導體中輕松獲取高質量數據。

• 這樣，就可增強成像和X射線能譜分析的性能，提供更多表面敏感信息，縮短采集時間，增強入射電子束流，提高能譜面分布分析速度。

• aBSD1（環形背散射電子探測器）或新一代C2D（級聯電流）探測器可確保在低電壓條件下采集到出色圖像。

• 即使您是新手用戶，也能輕松獲得專業結果。Sigma系列獲取圖像迅速，易于學習和使用的工作流可節省培訓時間，簡化從導航到后期處理的每個步驟，讓您如虎添翼。

• 蔡司SmartSEM Touch中的軟件自動化可助您完成導航、參數設置和圖像采集等步驟。

• 接下來，ZEN core便可大顯身手：它配備針對具體任務的工具包，適用于后期處理。我們十分推薦人工智能工具包，它可助您基于機器學習進行圖像分割。 

• 光學鏡筒是成像和分析性能的關鍵。Sigma配用蔡司Gemini 1電子光學鏡筒，可對任何樣品提供出色的成像分辨率，尤其是在低電壓條件下。

• Sigma 360的低電壓分辨率目前500 V時為1.9 nm。通過大幅度降低色差，1 kV時的分辨率已提升10%以上，可達1.3 nm。

• 現在成像比以往任何時候都輕松，無論是要求苛刻的樣品，還是在可變壓力（VP）模式下采用背散射探測。

• 新NanoVP lite模式和新探測器很容易在電壓低于5 kV時，從非導體中輕松獲取高質量數據。

• 這樣，就可增強成像和X射線能譜分析的性能，提供更多表面敏感信息，縮短采集時間，增強入射電子束流，提高能譜面分布分析速度。

• aBSD1（環形背散射電子探測器）或新一代C2D（級聯電流）探測器可確保在低電壓條件下采集到出色圖像。

• 即使您是新手用戶，也能輕松獲得專業結果。Sigma系列獲取圖像迅速，易于學習和使用的工作流可節省培訓時間，簡化從導航到后期處理的每個步驟，讓您如虎添翼。

• 蔡司SmartSEM Touch中的軟件自動化可助您完成導航、參數設置和圖像采集等步驟。

• 接下來，ZEN core便可大顯身手：它配備針對具體任務的工具包，適用于后期處理。我們十分推薦人工智能工具包，它可助您基于機器學習進行圖像分割。 

• 對實體樣品進行高效分析：基于SEM的高速和通用分析。

• 實現原位實驗自動化：無人值守測試的全集成實驗室。

• 可在低于1 kV的條件下完成要求苛刻的樣品成像：采集完整的樣品信息。

• 在1 kV或甚至在500 V時實現信息量豐富的成像和分析：Sigma 560的低千伏分辨率500 V時為1.5 nm。
  在新的NanoVP lite模式下，使用新型aBSD或C2D探測器

• 在可變壓力下輕松拍攝要求苛刻的樣品，加速電壓可低至3 kV。

• 正在研究電子設備的您肯定希望保持清潔的工作環境。使用等離子清洗儀（強烈推薦）和可通過6英寸晶圓的新型大尺寸樣品交換艙，防止您的樣品室受到污染。
  

• Sigma 560的一流EDS幾何學設計可提高分析效率。兩個180°徑向相對的EDS端口確保了即使在低電壓小束流條件下，也能實現高通量無陰影元素面分布。

• 樣品室的附加EBSD和WDS端口可進行除EDS外的分析。

• 不導電樣品也可以使用全新的NanoVP lite模式進行分析，并能獲得更強的信號和更高的對比度。

• 全新的aBSD4探測器可輕松實現表面形貌復雜樣品的圖像采集。

• Sigma原位實驗室是一種全集成式解決方案，它可以不依賴操作人員，通過無人值守的自動化工作流進行加熱和拉伸測試。

• 通過對納米級別的特征進行3D分析進一步擴展您的工作流：執行3D STEM斷層成像或基于人工智能的圖像分割。

• 新aBSD4可實現實時3D表面建模（3DSM）。

• 在1 kV或甚至在500 V時實現信息量豐富的成像和分析：Sigma 560的低千伏分辨率500 V時為1.5 nm。
  在新的NanoVP lite模式下，使用新型aBSD或C2D探測器

• 在可變壓力下輕松拍攝要求苛刻的樣品，加速電壓可低至3 kV。

• 正在研究電子設備的您肯定希望保持清潔的工作環境。使用等離子清洗儀（強烈推薦）和可通過6英寸晶圓的新型大尺寸樣品交換艙，防止您的樣品室受到污染。
  

• Sigma 560的一流EDS幾何學設計可提高分析效率。兩個180°徑向相對的EDS端口確保了即使在低電壓小束流條件下，也能實現高通量無陰影元素面分布。

• 樣品室的附加EBSD和WDS端口可進行除EDS外的分析。

• 不導電樣品也可以使用全新的NanoVP lite模式進行分析，并能獲得更強的信號和更高的對比度。

• 全新的aBSD4探測器可輕松實現表面形貌復雜樣品的圖像采集。

• Gemini 1電子光學系統由三個元件組成：物鏡、電子束推進器和Inlens探測器。其中，物鏡的設計將靜電場與磁場相結合，大大優化光學性能的同時，降低了樣品受到的磁場影響。 

• 如此也可實現對磁性材料等具有挑戰性的樣品的高品質成像。Inlens探測原理通過對二次電子（SE）和/或背散射電子（BSE）的探測來確保高效的信號檢測，同時大幅縮短獲取圖像的時間。 

• 電子束推進器保證了小尺寸的電子束斑和高信噪比。
  

• Sigma配備了一系列不同的探測器，通過新探測技術對您的樣品進行表征。 

• 使用ETSE和Inlens探測器的高真空模式可獲取表面形貌的高分辨率信息。

• 使用VPSE或C2D探測器的可變壓力模式可獲得清晰圖像。 

• 使用aSTEM探測器可進行高分辨率透射電子成像。

• 采用不同的可選BSE探測器，如aBSD探測器，可以深入研究樣品的成分和表面形貌。

標準VP（左）和NanoVP lite（右）模式，氣體分布（粉紅色），電子束裙邊（綠色）。

采用NanoVP lite模式進行分析和成像，在低電壓條件下可獲得更高的圖像質量，更快速地獲取更準確的分析數據。

• 在NanoVP lite模式下，裙邊效應降低且電子束的氣體路徑長度（BGPL）減小。裙邊減小會提高SE和BSE成像的信噪比。

• 帶有五象限的可伸縮式的環形aBSD可提供出色的材料成分襯度：在NanoVP lite工作過程中，該探測器配備了安裝在極靴下方的束流套管，其可提供低電壓下的高通量高襯度成分和表面形貌成像，適用于可變壓力和高真空條件。